TSMC raportează un mare succes cu prima versiune de test a procesului de fabricație pe 2nm, lăsând de înțeles că debutul comercial nu poate fi prea departe.
În timp ce tabăra Samsung se poate „lăuda” cu o rată de succes nu mai mare de 10-20% pentru cipurile sale pe 2nm, TSMC raportează o proporție între cip-uri funcționale și defecte (yield rate) de 60% și peste, actualul proiect-pilot având toate șansele să fie urmat de lansarea accelerată a producției de serie.
Totuși este un pic prea devreme să vorbim despre telefoane cu procesor pe 2nm lansate anul viitor, informații obținute pe surse arătând că procesul de fabricație pe 2nm ar putea fi prea scump chiar și pentru Apple, compania americană planificând tranziția la noul proces de fabricație abia pentru generația iPhone 18. În schimb Apple ar urma să folosească o versiune perfecționată a procesului de fabricație N3P al TSMC, atât pentru producerea cipului M5 pentru iPad Pro și Mac cât și a seriilor A19/A19 Pro pentru iPhone.
În mod normal, un randament de 70% sau mai mare este necesar pentru ca un proces de fabricație să poată fi considerat viabil comercial. Dar și cu un randament de 60% raportat la aceste teste pe 2 nm, lucrurile nu arată deloc rău pentru TSMC, compania având mari șanse să atingă ținta propusă prin optimizări suplimentare ale metodelor de fabricație. Alternativ, TSMC ar putea să crească pur și simplu tarifele solicitate partenerilor din industrie, fapt ce ar explica lipsa de entuziasm a celor de la Apple.
Procesul de fabricație pe 2 nm al TSMC include o tehnologie de tranzistori numiți Gate-All-Around (GAA). Folosind nanofoi orizontale poziționate vertical, tranzistoarele GAA înconjoară canalul pe toate cele patru laturi. Generația anterioară de tranzistori, cunoscută sub numele de FinFET, acoperea canalul doar pe trei laturi. Tranzistoarele GAA sunt mai puțin predispuse interferențe și acceptă curenți de alimentare mai mari, livrând astfel performanțe îmbunătățite.
