Semnalată atât la cele mai recente generații de procesoare AMD/Intel, dar și la chipset-uri pentru dispozitive smartphone, cum sunt cele livrate de Qualcomm și Apple, problema hotspot-urilor de temperatură amenință să pună capăt salturilor de performanță obținute prin miniaturizarea cipurilor.
Deja este ceva normal ca un PC echipat cu procesor AMD sau Intel de ultimă generație să atingă temperaturi de peste 100 °C la rularea aplicațiilor cele mai intensive. Chiar dacă măsurătorile sunt rareori cunoscute utilizatorilor, și chipseturile pentru dispozitive mobile și se lovesc de aceleași obstacole, „rezolvate” doar de formă prin plafonarea automată a performanțelor efective (throttling).
Problema nu este neapărat că excesul de căldură nu poate fi extras, doar că, nu de ajuns de eficient. Fenomenul este cunoscut inclusiv producătorilor de acceleratoare grafice, ale căror cipuri sunt de-a dreptul imense, prin comparație. Astfel pentru un procesor sunt măsurate cel puțin două temperaturi de referință: temperatura medie (package temp) și așa numitul hotspot (poti fi chiar mai multe hotspot-uri). În funcție de arhitectura respectivului cip și nivelul de performanță pentru care este optimizat, temperatura hotspot poate fi și cu 10-15 °C peste cea oficială. Așa se face că un CPU măsurat cu o temperatură de 95 °C, în realitate poate depăși binișor pragul de 100 °C în punctul cel mai fierbinte. Iar performanțele sunt întotdeauna limitate după criteriul celei dea doua temperaturi, pentru a evita deteriorarea rapidă și iremediabilă a cipului respectiv. Ușor de anticipat, efectul este o plafonare prematură a performanțelor, sub potențialul teoretic al respectivei arhitecturi de procesor.
Încercând să adreseze acest neajuns, cercetători ai Universității din California L.A. au dezvoltat un sortiment de tranzistori specializați, care la aplicarea unui curent electric pot redistribui excesul de căldură pe întreaga suprafață a cipului de siliciu, împiedicând sau măcar reducând formarea așa numitelor hotspot-uri. Tehnologia funcționează independent de arhitectura cipului respectiv, tranzistorii care funcționează precum pompe de căldură miniaturale fiind aplicați la suprafața cip-ului de siliciu, un strat de grosimea a doar câteva molecule fiind suficient pentru obținerea unui efect pe care nici o interfață de transfer termic pasivă nu l-ar putea livra.
Probabil că dispunerea acestor tranzistori termici va putea fi personalizată în funcție de particularitățile cipului respectiv, adresând în mod prioritar zonele predispuse la formarea hotspot-urilor de temperatură. Cert este că în testele de laborator, tranzistorii experimentali s-au dovedit de 13 ori mai eficienți în disiparea punctelor fierbinți, decât soluțiile convenționale folosite în prezent.
