Am aflat încă din luna noiembrie că Qualcomm pregătește Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro, segmentând și mai mult oferta de cip-uri care la seria Gen 5 se împarte deja între versiunile Snapdragon 8 Elite Gen 5 și Snapdragon 8 Gen 5, cu performanțe ușor inferioare.
Astfel, dacă Qualcomm va merge pe direcția extinderii formulei actuale, anul viitor vom avea Snapdragon 8 Gen 6, Snapdragon 8 Elite Gen 6 și Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro, ultimul reprezentând opțiunea rezervată pentru telefoane și tablete ultra-premium, adresate entuziaștilor dispuși să plătească mai mult.
Organigrama tot mai complicată pare justificată din „nevoia” Qualcomm de a găsi o justificare pentru inevitabila scumpire a chipseturilor din gama de top. Și nu e doar vina Qualcomm, ci și a TSMC/Samsung, fabricanții de semiconductoare solicitând tarife exorbitante pentru accesarea celor mai avansate metode de fabricație. În plus, chipseturile moderne au devenit extrem de puternice, raportat la nevoile utilizatorilor obișnuiți. Dar mici variații apărute în timpul procesului de fabricație poate trimite la gunoi cip-uri care prezintă defecte minore, sau ratează la limită întrunirea criteriilor de performanță stabilite de producător. Așa că diferențierea pe mai multe versiuni (Gen 6, Gen 6 Elite, Elite Pro) ar putea fi până la urmă benefică pentru toată lumea.
Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro, primul chipset Qulacomm pe 2nm
Revenind la subiectul de astăzi, Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro va fi cea mai puternică versiune a cip-ului Qualcomm rezervat pentru generația 2027 de telefoane flagship cu Android. Obținut cu un proces de fabricație pe 2 nanometri, acesta este așteptat să atingă viteze de 5,5-6,0 GHz, comparabil celor mai avansate procesoare pentru PC-uri desktop. Pentru context, Snapdragon 8 Elite Gen 5 dispune de nuclee de performanță care ating viteze de aproximativ 3,62 GHz, respectiv până la 4,6 GHz pe nucleele principale. Așa că o creștere de 1GHz pentru succesorul Gen 6, în condițiile trecerii de la un proces de fabricație pe 3 nanometri, la 2 nanometri pare realizabilă. Dar atingerea bornei de 6,0 GHz presupune ca noul proces de fabricație TSMC pe 2nm să demonstreze caracteristici remarcabile de eficiență și scalabilitate, puțin probabil pentru un proces de primă generație.
Deși trecerea de la 3nm la 2nm nu pare enormă, modificările necesare pentru atingerea acestui nivel de miniaturizare sunt considerabile. Așa că dacă saltul de performanță va fi pe măsura creșterilor de prețuri, asta nu poate fi decât un lucru bun pentru un producătorii de dispozitive care reușesc tot mai greu să justifice prețul la raft.
Totuși, actuala generație Snapdragon 8 Elite Gen 5 ne-a arătat că maximizarea frecvențelor de funcționare vine cu un compromis ce trebuie asumat, telefoanele echipate cu această versiune de chipset fiind predispuse la supraîncălzire și consum de baterie crescut, atunci când sunt rulate aplicații solicitante.
