Ne aflam intr-un moment foarte interesant din istorie pentru fanii progresului tehnologiei pe segmentul de memorie non-volatila. Samsung a facut V-NAND, Intel si Micron vor face intr-un viitor apropiat Xpoint disponibil pentru publicul larg, iar Toshiba si SanDisk vor trece la 3D NAND.
Cele doua companii anunta o colaborare pentru infiintarea unei noi unitati de fabricare in care au inceput deja sa mute echipament care va permite productia de memorie de tipul 3D NAND.
Conform estimarilor, se va atinge un volum de productie suficient in primul sfert al anului 2016, permitand astfel tranzitionarea celor doua companii catre memorie 3D pentru solutiile lor de stocare.
Aceasta tranzitie este foarte importanta pentru Toshiba, pentru SanDisk, si pentru noi. Samsung deja a dovedit ca memoria 3D poate aduce o performanta foarte buna, comparativ cu NAND-ul normal, si o densitate superioara. V-NAND pe care il foloseste Samsung este doar o alta denumire pentru 3D NAND, pentru suprapunerea modulelor de memorie si unirea lor cu o serie de canale verticale.
Daca Toshiba si SanDisk vor reusi sa scoata pe piata, anul viitor, SSD-uri care se folosesc de memorie 3D, vor avea produse capabile sa faca fata competitiei si ca urmare care sa impinga mai jos preturile.
Rezultatul ar trebui sa fie vizibil pe la finalul lui 2016-inceputul lui 2017. Atunci ar trebui sa putem cumpara SSD-uri cu o densitate mai mare ca cele de acum, performanta mai buna, dar poate la acelasi pret.
