SK Hynix a dezvăluit viitoarele produse flash la summit-ul Flash Memory. Dar într-un caz în care departamentul de marketing se depărtează prea mult de realitate, compania a botezat noul flash cu numele „4D NAND”. Asta presupune o nouă dimensiune adăugată la 3D flash, dar această nouă tehnologie pare a fi similară cu una pionierată de Intel și Micron, deși în combinație cu câteva alte tehnologii flash deja existente.
Deci, ce separă 4D NAND-ul de la SK Hynix de concurenții cu 3D NAND? Compania își propune proiectarea CTF (Charge Trap Flash, nu Capture The Flag!) asociată cu tehnologia Periphery Under Cell (PUC). Pe scurt, 3D flash constă din două componente primare: matricea și circuitul periferic. La fel ca orice alt 3D NAND, matricea SK Hynix este o stivă verticală de straturi care stochează date, iar liniile de circuit periferice, marginile matriței. Această schemă controlează matricea, dar consumă spațiu și mărește complexitatea și dimensiunea, adăugând mai multe straturi NAND. Asta adaugă complexitatea și mărimea crește costul produsului final.
Pentru a evita această problemă, modelul 4D NAND produs de SK Hynix utilizează designul PUC, care plasează circuitul sub matrice în loc de în jurul acesteia. Această tactică crește densitatea, reducând astfel costurile. Cu toate acestea, acesta este același design pe care Intel și Micron au pionierat-o cu prima lor generație de 3D flash, deși ei se referă la acesta ca fiind „CMOS under Array” (CuA). Samsung a anunțat, de asemenea, că în viitor se va muta la un design de tip CuA, deci această tactică nu este cu siguranță nouă.
Ca atare, rebranding-ul SK Hynix a tehnologiilor existente cu siguranță nu duce NAND-ul în a patra dimensiune. Deși n-am văzut încă cum va funcționa acest nou NAND, 4D NAND ca tehnologie pare să fie mai degrabă o găselniță a departamentului de marketing decât ceva complet inovator.
