Samsung a detaliat planurile sale de viitor pe segmentul de semiconductoare, iar obiectivul este cel de-a atinge un nod de 4 nanometri.
Nu s-a oferit o dată la care asta se va întâmpla, dar procesul este în calendarul companiei, alături de numeroase alte tehnologii care vor fi implementate până atunci.
Următorul pas al uzinelor Samsung va fi tranziția către procesul 8LPP, care va fi ultimul făcut folosind metode tradiționale, înainte de a trece la litografie cu ultra-violete extreme. Această metodă va debuta cu procesul de 7 nanometri și va continua cu procesele de 6 nanometri, 5 nanometri și în cele din urmă cu cel de 4 nanometri. Merită menționat că numerele acestea sunt oarecum subiective, din moment ce fiecare companie ajunge la acestea prin măsurături diferite.
Nu vom mai avea parte de salturi masive, de înjumătățire a nodului de producție, din moment ce ne apropiem de limite dincolo de care fizica nu mai funcționează așa cum ar trebui. Pentru a compensa, procesul de 4 nanometri va aduce și un nou tip de tranzistor, numit Multi Bridge Channel FET. Acesta este numele pe care Samsung îl folosește pentru implementarea sa a Gate All Around FET, într-un mod similar cum implementarea FinFET era numit Tri-Gate Transistor de către Intel.
Această metodă de a construi tranzistorii ar trebui să reducă și mai mult scurgerile de electroni, ducând la eficiență ceva mai bună. Vor trece cu siguranță câțiva ani până când vom atinge acest nivel, dar când se va întâmpla, vă puteți aștepta la putere de calcul excelentă, consum de energie mic și probabil nevoia de-a trece la materiale complet noi pentru a putea merge mai departe.
