Samsung face progres însemnat în ultima vreme pe partea de memorie, anunțând acum câteva săptămâni un modul 1 TB, iar acum un modul de 512GB eUFS 3.0.
De ce este important așa ceva? Pentru că standardul eUFS 3.0 este mult mai rapid ca orice altă soluție anterioară de memorie pentru telefoane mobile. Noua variantă are potențialul de a atinge 2100MB/s la citire secvențială și 410MB/s la scriere secvențială. Iar pe partea de citire/scriere aleatoare depășește cu ușurință 60 de mii de IOPS.
Samsung va începe cu acest modul de 512GB, urmând ca pe parcursul anului să producă și variante 256GB și de 1TB. Acest standard de memorie nu pare a fi cel folosit pentru seria Galaxy S10, dar probabil va fi utilizată în acel Galaxy Note 10 care va fi anunțat, inevitabil, mai spre toamnă.
Compania a făcut și acest mic tabel comparativ menit să sublinieze cât de mult a putut să evolueze performanța memoriei de stocare a telefoanelor mobile în ultima jumătate de deceniu.
| Storage Memory | Sequential Read Speed | Sequential Write Speed | Random Read Speed | Random Write Speed |
| 512GB eUFS 3.0 (Feb. 2019) | 2100MB/s (x2.10) | 410MB/s (x1.58) | 63,000 IOPS (x1.09) | 68,000 IOPS (x1.36) |
| 1TB eUFS 2.1 (Jan. 2019) | 1000MB/s | 260MB/s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| 512GB eUFS 2.1 (Nov. 2017) | 860MB/s | 255MB/s | 42,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| eUFS 2.1 for automotive (Sep. 2017) | 850MB/s | 150MB/s | 45,000 IOPS | 32,000 IOPS |
| 256GB UFS Card (Jul. 2016) | 530MB/s | 170MB/s | 40,000 IOPS | 35,000 IOPS |
| 256GB eUFS 2.0 (Feb. 2016) | 850MB/s | 260MB/s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| 128GB eUFS 2.0 (Jan. 2015) | 350MB/s | 150MB/s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
| eMMC 5.1 | 250MB/s | 125MB/s | 11,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 5.0 | 250MB/s | 90MB/s | 7,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 4.5 | 140MB/s | 50MB/s | 7,000 IOPS | 2,000 IOPS |
