NEWSPCTECH

Samsung anunță următoarea generație de V-NAND

136 de straturi și latențe ceva mai mici

Samsung a dezvăluit cea mai recentă evoluție a tehnologiei sale de stratificare pe verticală a memoriei pentru SSD-uri. Generația a șasea de V-NAND aduce 136 de straturi suprapuse, ceea ce permite atingerea unei densități mai bune într-un spațiu mai compact, cel puțin pe orizontală.

Nu este doar o simplă mărire a densității fără nici un fel de altă modificare. Generația nouă aduce latențe mai bune cu 10%, venind aici în ajutor circuite noi, un controller nou, precum și o simplificare drastică a designului. În loc de 930 și ceva de milioane de perforații necesare pentru a conecta diversele straturi, ca la generația veche, varianta actuală are nevoie doar de 670 de milioane, ceva ce ar trebui să scadă complexitatea producției. Ca urmare, ar trebui să scadă puțin și costul. Consumul de energie a mai scăzut și el, cu 15%. Memoria va efectivă este tot de tipul TLC, din moment ce QLC nu este tocmai foarte rapid.

Nu este vorba de un salt prea mare în ceea ce privește tehnologia, în primă fază, dar Samsung susține că va putea cu mare ușurință să suprapună module multiple, pentru a crea în efect memorie cu 300 de straturi. Dar încă mai avem ceva timp de așteptat până la acel moment. Primul produs efectiv ce se va folosi de această memorie este un SSD de 256GB, așa că nu vom avea parte de capacitate masivă din start.

[Anandtech]

Tags

Iulian Mocanu

Redactor Știri

Related Articles

Lasă un răspuns

Adresa ta de email nu va fi publicată. Câmpurile obligatorii sunt marcate cu *

Acest sit folosește Akismet pentru a reduce spamul. Află cum sunt procesate datele comentariilor tale.

Back to top button
Close
Close