Samsung și-a însușit meritul de prima firmă care a început să producă în masă a doua generație de DRAM, bazată pe 10 nanometri. Noul cip DDR4 de 8Gb îmbunătățește designul generației anterioare, cu o performanță de 10% și o îmbunătățire de 15% a energiei. Noua memorie funcționează la 3.600Mb / s pe pin, o creștere de 400Mb / s față de cea existentă în modulele de generație actuală.
Gyoyoung Jin, președintele diviziei Memory Business la Samsung Electronics a declarat:
Prin dezvoltarea tehnologiilor inovatoare în proiectarea și procesarea circuitelor DRAM, am depășit ceea ce a reprezentat o barieră majoră pentru scalabilitatea DRAM. Prin accelerarea rapidă a DRAM-ului de a doua generație de 10 nm vom extinde și mai mult producția de DRAM de 10nm, pentru a răspunde cererii puternice de pe piață și pentru a continua să ne consolidăm competitivitatea în afaceri.
Samsung a aplicat noi tehnologii, inclusiv utilizarea unui sistem de detectare a datelor cu sensibilitate ridicată pentru a permite o determinare mai precisă a datelor citite din fiecare celulă. Un nou „distanțier de aer” plasat în jurul liniilor de biți reduce capacitatea parazită. Distanțierul permite o scalare mai mare și crește funcționarea rapidă a celulelor prin reducerea perturbațiilor diferitelor tensiuni ale conductorilor plasați unul în vecinătatea celuilalt.
Lecțiile învățate din noul proces de fabricație și caracteristicile integrate au accelerat planurile Samsung pentru alte tehnologii de memorie. Samsung spune ca va putea aduce pe piață DDR5, LPDDR5, HMB3 si GDDR6 mai devreme datorită acestor descoperiri.
Modelele DDR4 de generație a doua au terminat validarea cu producătorii de procesoare, iar următorul pas al companiei Samsung este să colaboreze îndeaproape cu clienții globali IT. Acest lucru va permite dezvoltarea unor sisteme de calcul de ultimă generație mai eficiente.
Autor
