Ad Clicks : Ad Views : Ad Clicks : Ad Views : Ad Clicks : Ad Views : Ad Clicks : Ad Views : Ad Clicks : Ad Views : Ad Clicks : Ad Views : Ad Clicks : Ad Views :

MIT a făcut un tranzistor de 2.5 nanometri lățime

/
/
/
img

La începutul acestei luni MIT a dezvăluit un salt însemnat în ceea ce privește tehnologia de fabricare a semi-conductoarelor.

În colaborarea cu Universitatea Statului Colorado a fost dezvoltat un nou mod prin care pot fi creați tranzistori care nu ai nici măcar jumătate din lățimea unui tranzistor găsit acum la vreun procesor disponibil pe piață.  Tehnologia poartă numele de gravură termică la nivel atomic. Nu funcționează folosind EUV, ci folosind unelte care permit depozitarea de straturi atomice individuale de materiale. Uneltele efective folosite nu sunt tocmai o invenție nouă, așa că implementarea lor într-un proces de producție nu ar trebui să fie dificilă, în momentul în care dezvoltarea sa va progresa suficient de mult încât să îi fie dovedit potențialul.

Deocamdată, în experimente s-a reușit realizarea unui tranzistor cu o lățime de 3nm și a unui tranzistor de 3D, de tipul FinFET, cu o lățime de doar 2.5nm. Performanța sa a fost descrisă ca fiind cu 60% mai bună ca cea a unui tranzistor FinFET existent.

Dacă numerele acestea nu vă spun prea multe, vă încurajez să aruncați o privire peste un alt articol în care am încercat să explic ce înseamnă toate astea.

Important este că în cazul în care metodele tradiționale și cu EUV vor ajunge la un impas în viitorul în următoru deceniu, va fi o alternativă la dispoziția producătorilor de semiconductoare.

[Hexus]

  • Facebook
  • Twitter
  • Google+
  • Linkedin
  • Pinterest

Leave a Comment

Adresa ta de email nu va fi publicată. Câmpurile obligatorii sunt marcate cu *

Acest sit folosește Akismet pentru a reduce spamul. Află cum sunt procesate datele comentariilor tale.

This div height required for enabling the sticky sidebar