SSD-urile sunt pe cale să devină mult mai încăpătoare, Intel fiind cea mai recentă companie care să anunțe că are de gând să construiască unități de stocare cu o capacitate care garantat va face orice SSD ați avea acum să pară minuscul.
Compania susține că prin folosirea memoriei NAND de tip QLC, ce permite împachetarea datelor la un loc într-un mod ceva mai eficient ca generațiile anterioare, va avea posibilitatea de a produce SSD-uri în format 2.5 inch cu o capacitate de 20TB în viitorul apropiat.
Înainte să țopăiți de bucurie, merită amintit de faptul că un SSD de o asemenea capacitate va costa o mână, un picior și diverse alte organe interne, fiind destinat în primă fază segmentului Enterprise. Apoi mai vine problema naturii acestui tip de memorie.
QLC NAND este mai dens ca semenii săi, permițând îngrămădirea a patru biți în fiecare celulă de memorie. Dar este mai lent, așa că nu ar trebui să vă așteptați la viteze imense de scriere/citire, comparabil cu ce puteți vedea la dispozitivele ce se folosesc de TLC NAND sau MLC NAND, precum seria 900 de la Samsung. Totuși, vorbim de ceva care cu ușurință întrece un HDD în performanță, numai că mai există și problema anduranței. QLC NAND rezistă la în jur de 1000 de cicluri de rescriere completă, doar o treime ce era capabil TLC NAND, așa că ar fi mai mult o soluție pentru arhivare, ideală pentru servere de stocare, nu pentru aplicații unde aceste SSD-uri sunt rescrise în mod constant.
Totuși, dacă vreți să aveți în casa voastră ceva de acest gen, conform unor leak-uri recente Intel va avea și modele dedicate publicului larg de 2TB.
Această tehnologie de memorie a fost dezvoltată de Intel în colaborare cu Micron, compania cea din urmă anunțând deja un produs care să se folosească de QLC NAND, Micron 5210 ION pentru segmentul Enterprise. Acest parteneriat se va încheia anul viitor, cele două companii mergând în direcții separate, dar nu înainte de-a mai pregăti o ultimă soluție de memorie NAND, care va îngrămădi și mai multe straturi la un loc, în jur de 96. După ce parteneriatul se va încheia, Micron va face tranziția la dezvoltarea memoriei flash de tip „Charge Trap”, ce permite realizarea de unități de stocare mai eficiente, mai ieftine și mai fiabile, doar că necesită multă muncă până când procesul de producție poate să ajungă la nivelul la care se află NAND-ul pe care îl știm deja.
