Intel se pregătește pentru următoarea generație de procesoare, anunțând public următorul proces de fabricație, cel de 10 nanometri.
Dezvoltarea sa a necesitat foarte mult timp și foarte multe resurse, dar rezultatul final este destul de impresionant. Conform declarației oficiale emise de Intel, acest proces are o densitate dublă față de alte soluții de 10 nanometri dezvoltate de alți producători, atingând 100.8 megatranzistori e milimetru pătrat. Cum vine asta? Simplu, modul în care măsoară fiecare companie acei 10 nanometri diferă foarte mult. Procesul permite o densitate de tranzistor de 2.7 ori mai mare ca cel anterior de 14 nanometri făcut chiar de Intel.
În ceea ce privește performanța, acest proces oferă un spor de 25% a performanței față de cel de 14 nanometri, iar în ceea ce privește eficiența energetică, procesul are un spor de 45% la reducerea consumului. Iar acesta este doar începutul, deoarece o variantă rafinată a sa este în lucru. Aceasta poartă numele 10++ și îmbunătățește performanța cu încă 15% și reduce consumul cu încă 30%.
Simplu spus, Intel pare că este în stare să ofere avantaje pe procesul său de 10 nanometri de la care se așteaptă alți producători de la procese care după nume ar fi chiar mai mici. Acest proces va fi disponibil de la sfârșitul acestui an. Nu este clar când produsele care chiar se folosesc de el vor fi disponibile. Cannonlake este arhitectura de la care ne așteptam până acum să inaugureze procesul de 10 nanometri pe segmentul consumer.
